銅片四探針電阻率測試儀由于電阻率受溫度影響,一般測試適用溫度為23℃±1 ℃.

對于厚度對測試的影響,仲裁測量要求厚度按本方法的6.3規(guī)定測量,一般測量用戶可以根據實

際需要確定厚度的要求偏差。由于探針壓力對測量結果有影響,測量時應選擇合適的探針壓力。仲裁測量時選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測量可選擇其他探針間距。

方法提要直排四探針測量示意圖測量儀器探針裝置由以下幾部分組成。1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*,初始標稱半徑為25 μm~50 μm。

5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測

量,也可選擇其他合適的探針壓力。絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線)與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于

10’Ω.4探針排列和間距,四根探針的應成等間距直線排列。仲裁測量時,探針間距(相鄰探針之間

的距離)標稱值應為1.59mm。其他標稱間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測量,探針間距按7.2測定。探針架,能在針尖幾乎無橫向移動的情況下使探針下降到試樣表面.

技術參數及功能介紹

銅片四探針電阻率測試儀如果不是采用直接測量電阻儀器,則讓電流在正向,調節(jié)電流大小到近似表2推薦圓片的測量電流值,測量正向電流時標準電阻兩端的電勢差V,或直接測量流過模擬電路的正向電流1,再測量正向電流時模擬電路的電勢差Va。將電流換向,測量反向電流時標準電阻兩端的電勢差V„或模擬電路的反向電流I„和反向電流時模擬電路的電勢差V„。繼續(xù)改變極性重復進行測量,記錄5次每一極性的測量值。